艾司摩尔(ASML)与比利时微电子研究中心(IMEC)合作案再添一桩。双方将共同设立先进曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半导体产业突破10奈米(nm)以下先进奈米曝光制程技术关卡，让微影(Lithography)技术及其设备更臻成熟，加速制程微缩技术的商用化。
ASML总裁暨执行长Martin van den Brink表示，长期以来，该公司与IMEC的合作，已促成半导体制程发展不断突破；而此次的合作案，预期将进一步加快先进奈米制程技术及其相关设备的进展。
据了解，ASML和IMEC为确保未来10奈米以下制程中，关键晶圆尺寸的一致性和曝光重叠(Overlay)控制符合要求，将联手研究在曝光制程中不同步骤的相互影响性；并将于先进曝光中心导入实际的元件，藉此分析和最佳化制程步骤，以及材料和元件结构的选择。
IMEC总裁暨执行长Luc Van den hove强调，双方的合作将加快扩充10奈米制程的微影技术知识库(Knowledge Base)，并获取最先进的10奈米以下曝光制程技术，其将成为日后解决制程微缩和基础建设(Infrastructure)窒碍的关键。
据悉，先进曝光中心将集结ASML和IMEC的专长、工程能力及曝光基础建设，以因应投入研发过程中面临的窒碍、基础建设投资及所需的曝光知识。其中，ASML将支援先进曝光中心的先进扫描机、量测系统(Metrology System)及全面微影(Holistic Lithography)方案。
至于IMEC则将偕同材料和设备供应商、整合元件制造商(IDM)、晶圆代工厂和无晶圆(Fabless)厂等合作夥伴网络，协助打造全球领先的洁净室基础设备(完整的300毫米晶圆试产线，并可延伸至450毫米晶圆)。
该中心将设在位于比利时鲁汶(Leuven)的IMEC园区内，预计未来几年工程师数量将扩增至近一百位。